D�nnschichttransistor -- Weltverschw�rungsforum

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Date Posted: 02:27:43 02/15/10 Mon
Author: tony
Subject: D�nnschichttransistor
In reply to: tony 's message, "Metal Foam - Metallschaum" on 02:47:14 03/28/09 Sat

D�nnschichttransistor
aus Wikipedia, der freien Enzyklop�die
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Ein D�nnschichttransistor (englisch: thin-film transistor, kurz TFT) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, mit dem gro�fl�chige elektronische Schaltungen hergestellt werden k�nnen.
Aufbau [Bearbeiten]
Schema eines D�nnschichttransitors in der Aufbauvariante �staggered bottom-gate� (gestapelt mit untenliegendem Gate)
Grundlegende Aufbauvarianten von D�nnschichttransitoren

Der Aufbau eines D�nnschichttransistors entspricht dem Schema des bekannten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET). Die wesentlichen Unterschiede bestehen � neben den typischerweise verwendeten Materialien � in der nachtr�glich aufgebrachten Halbleiterschicht und dem h�ufig gro�fl�chig gestalteten Gate, das hei�t Source bzw. Drain und das Gate liegen h�ufig �bereinander.

Hinsichtlich des Aufbaus lassen sich D�nnschichttransistoren zum einen in �bottom-gate� (dt. untenliegendes Gate, auch top-contact, dt. obenliegende Source/Drain-Kontakte genannt) und �top-gate� (dt. obenliegendes Gate, auch botom-contact, dt. untenliegende Source/Drain-Kontakte genannt), zum anderen in �staggered (dt. gestapelt) und �coplanar� (dt. in der gleichen Ebene liegend) unterschieden. Es gibt damit vier Grundvarianten im Schichtaufbau. Bei der abgebildeten Variante handelt es sich um einen �staggered bottom-gate TFT� also einen �gestapelten D�nschichttransistor mit untenliegendem Gate�. Hierbei ist das zuerst abgeschiedene Gate (bottom-gate) und die Source/Drain-Kontakte durch einen Schichtstapel aus Dielektrikum und Halbleiter getrennt (staggered). In der entgegengesetzten Variante dem �coplanar top-gate TFT�, w�re das Gate zu letzt (nach dem Source/Drain-Kontakt, dem Halbleiter und dem Dielektrikum) abgeschieden worden und das Halbleitermaterial w�rde sich nur zwischen dem Source- und dem Drain-Kontakt befinden, das hei�t die Kontakte ber�hren direkt das Dielektrikum.[1]

Als aktiver Halbleiter kommt dabei meistens hydrogenisiertes amorphes Silizium (α-Si:H) zum Einsatz, das z. B. mittels eines Excimerlasers in polykristallines Silizium umgewandelt werden kann. Weiters werden Verbindungshalbleiter wie Cadmiumselenid (CdSe) und transparente Metalloxide wie Zinkoxid eingesetzt.[2][3] Andere Materialien, wie sie zum Beispiel bei organische Feldeffekttransistoren eingesetzt werden, sind Gegenstand aktueller Forschung.
Anwendung [Bearbeiten]
Schnitt durch ein TFT-Display. Die D�nnschichttransistoren sind im unterem Bereich mit (9) bezeichnet.

Eine weit verbreitete Anwendung ist die Orientierung von Fl�ssigkristall-Flachbildschirmen, bei denen pro Bildschirmpunkt drei Transistoren zum Einsatz kommen. Diese Bauart von Displays ist als Matrix-LCD bekannt, wird aber umgangssprachlich h�ufig auch als TFT-Display bezeichnet. In PDAs werden h�ufig transreflexive, TFT-basierte LCDs verwendet, die auch im Freien genutzt werden k�nnen.
Einzelnachweise [Bearbeiten]

1. ↑ Patrick G�rrn: Transparente Elektronik f�r Aktiv-Matrix-Displays.. Cuvillier Verlag, 2008, ISBN 978-3867277587, S. 154 (Auszug in der Google Buchsuche).
2. ↑ T. Peter Brody: The Thin Film Transistor - A Late Flowering Bloom. In: IEEE Transactions on Electron Devices. 31, Nr. 11, 1984, S. 1614�1628, (doi:10.1109/T-ED.1984.21762).
3. ↑ David Stauth: OSU Engineers Create World's First Transparent Transistor. College of Engineering, Oregon State University: OSU News & Communication, 24. M�rz 2003, abgerufen am 15. August 2009.
http://de.wikipedia.org/wiki/D%C3%BCnnschichttransistor

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Replies:

computer spracheingabe -- tony, 23:16:54 02/22/10 Mon